Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10956
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
Распределение количества просмотров по годам:
1005709
941947
904980
807196
696064
664477
609625
541928
650391
809191
803106
740673
741592
744266
721312
745972
771115
787703
689185
724309
678762
860842
873544
842787
814408
872374
884787
843864
815179
812275
720449
612369
444494
310253
203441
77589
23774
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
32
Влияние электрического поля на термическую эмиссию дырок собственными дефектами в p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией
32
Термическая энергия ионизации мелких доноров и акцепторов в кристаллах CdTe
31
Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As2Se3
31
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
30
Шумы и диффузия в коротких n+-n-n+-InP-структурах
29
Критика и библиография
29
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
29
Поведение примесей бора и фосфора в кремнии при облучении нейтронами и последующих отжигах
29
Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки
29
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
29
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
29
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
28
Структура распределения горячих дырок германия в условиях стриминга
28
К вопросу о гальваномагнитных эффектах в слабо легированном бесщелевом полупроводнике p-Hg1-xCdxTe
28
Влияние освещения на проводимость легированных пленок a-Si : H
28
Резонансные уровни в сильно компенсированном p-PbTe по данным ИК поглощения
28
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар: распределение по энергиям
28
Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
28
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
28
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
2939
Именной указатель
2564
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2481
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2368
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2352
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2347
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2336
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2308
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2300
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2270
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2260
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2245
Предметный указатель
2232
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2226
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2205
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2199
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2196
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2193
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2182
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2178
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2177
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2174
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2166
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2163
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2161
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2158
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2157
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2153
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2151
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2139
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2136
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2136
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2135
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2134
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2131
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2123
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2117
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2116
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
2116
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
2114
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2108
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
2105
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2103
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2102
Термоэдс n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
2098
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2097
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
2093
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
2092
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
2088
Исследование свойств пленок a-Si : H, имплантированных B+ и BF+2
2078

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme