Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10966
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
10
Распределение количества просмотров по годам:
1045090
978085
941107
838494
723205
691137
633643
563138
675752
836504
829639
765957
767245
768438
745769
772875
797569
815293
714709
750932
703178
890464
903385
871436
843267
902486
913984
870715
841689
843108
751832
641873
470785
334037
224422
90929
33627
1162
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
68
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
17

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
121
Низкоэнергетические изохроматные спектры кремния
85
Исследование туннелирования электронов в МОП структурах в области перехода от трапецеидального барьера к треугольному
80
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
79
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
76
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
76
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
76
Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии n-типа при низкотемпературном гамма-облучении
75
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
75
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
74
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
74
Зависимость пробивного поля (Eпр) от степени компенсации (C) в n-Ge
74
Диффузия горячих фотоэлектронов в металл --- эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки
73
Первое информационное сообщение
73
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
72
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
72
Селективная фоточувствительность длинных p+-n-диодов с варизонной базой на основе AlxGa1-xAs
71
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
71
Фотомагнитный эффект в n-InSb в квантовом пределе
70
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
69
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3029
Именной указатель
2630
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2561
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2443
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2427
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2427
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2417
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2406
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2405
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2372
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2339
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2321
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2320
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2307
Предметный указатель
2294
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2287
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2272
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2265
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2264
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2261
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2259
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2252
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2243
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2239
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2236
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2235
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2235
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2233
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2222
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2222
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2221
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2220
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2219
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2213
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2212
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2211
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2199
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2198
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2193
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2188
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2183
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
2183
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
2182
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
2174
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2171
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
2170
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
2170
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2170
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2166
Термоэдс n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
2162

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme